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精密電阻
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芯片里電阻怎么實(shí)現(xiàn)

作者:Analog CMOS

不僅可以做電容、電阻,還可以做:電感、MOS管、三極管、二極管等

平時(shí)消費(fèi)者看到的成品是這樣子

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打開(kāi)黑色外套,內(nèi)部核心大概長(zhǎng)這樣子

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里面應(yīng)該會(huì)有的典型器件:

1. 電容有poly 電容 MOS電容  MOM電容

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2. 電阻:有poly電阻diffusion電阻

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3. 電感

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4. 二極管

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5. 三極管

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IC的制作過(guò)程實(shí)際上就是在硅襯底上多次反復(fù)進(jìn)行薄膜形成、光刻、摻雜等加工。

具體操作有刻蝕、注入、蒸發(fā)、濺射、生長(zhǎng)、沉淀、冷卻、退火等復(fù)雜的工藝。

工藝步驟

1. 潔凈工藝

給硅片提供潔凈的環(huán)境

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2. 氧化工藝

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3. 薄膜工藝

IC的制作過(guò)程實(shí)際上就是在硅襯底上多次反復(fù)進(jìn)行薄膜形成、光刻、摻雜等加工。


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4. 光刻工藝

把(掩膜版上的)圖形轉(zhuǎn)移到硅片上

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5. 摻雜工藝

摻雜就是將硼、磷、砷等元素加到硅圓片內(nèi)或多晶硅等薄膜內(nèi),改變其雜質(zhì)濃度,以改變硅片的性質(zhì),如從n型變成p型、從p型變成n型,或改變其電阻率。


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6. 刻蝕工藝

刻蝕就是利用光刻膠或其它材料作掩蔽層,對(duì)沒(méi)有保護(hù)的區(qū)域進(jìn)行腐蝕,最終實(shí)現(xiàn)掩膜版圖形變成硅片上圖形的圖形轉(zhuǎn)移。


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7. 平坦化工藝

在集成電路工藝發(fā)展過(guò)程中,隨著加工層數(shù)的增加,出現(xiàn)了表面的臺(tái)階高差越來(lái)越大的問(wèn)題。

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一個(gè)簡(jiǎn)單的兩個(gè)器件組成的反相器,至少經(jīng)過(guò)前面的幾個(gè)最基本操作,才能實(shí)現(xiàn)

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